22— 26 апреля 2013 года в Санкт-Петербурге пройдут «Дни интеллектуальной собственности», которые уже в пятый раз организует Опорная организация Роспатента в СЗФО — Институт международного бизнеса и права НИУ ИТМО при поддержке Правительства Санкт-Петербурга.
Двери этого интеллектуального праздника открыты для всех горожан, желающих представить свои идеи и наладить деловые контакты. Цель праздника — формирование правовой культуры и расширение знаний в области интеллектуальной собственности.
Традиционно круг участников очень широк: руководители и специалисты предприятий; изобретатели, представители творческих профессий; специалисты в области интеллектуальной собственности, инновационная молодежь. Конференции, семинары, круглые столы пройдут на разных площадках города. Участие бесплатное по предварительной регистрации.
В Санкт-Петербурге уделяется особое внимание информированности горожан в вопросах интеллектуальной собственности. Так, 15 апреля 2013 года в региональном центре ИТАР-ТАСС состоялся «круглый стол» на тему «Интеллектуальная собственность: кто и как может на этом заработать или потерять». В ходе мероприятия обсуждались вопросы информационной закрытости этой сферы, темы воровства и защиты идей, «патентных войн». Особое внимание было уделено вопросам защиты результатов интеллектуальной деятельности школьников, идеи которых также бывают конкурентны на рынке и патентоспособны.
Участники «круглого стола» рассказали журналистам, как, патентуя технические решения, можно защитить результаты творческого труда, получить легальную монополию на свои разработки и получать доход буквально «из воздуха», и какие убытки можно понести, если не заниматься вопросами правовой охраны.
Выступающие сошлись во мнении, что в настоящее время российское законодательство предоставляет авторам и правообладателям достаточно инструментов для защиты своих прав и коммерциализации интеллектуальной собственности. Ключевым вопросом является осведомленность самих авторов и изобретателей об этих возможностях, для чего необходимо расширение информационного поля.
С полным текстом статьи можно ознакомиться здесь.